第一九六章 浸没式光刻技术 (第1/2页)

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“这么成熟的193n浸没式光刻技术，我只听说过ad有！”

星空科技总公司的研部里，研部所有的人员都到场了，刘言站在一个临时搭建的讲台上激动地说道。

“我们都是知道，浸没式光刻技术需要在光刻投影物镜最后一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体，就像这个图。”刘言敲了敲大字幕，上面投影仪投射出一幅示意图。

示意图中，显示着传统光刻和浸没式光刻的对比。

其实没什么区别，唯一区别就是光刻胶和投影物镜之间的空间变成了液体。

“根据瑞利衍射原理，我们可以算出193n浸没式光刻机的分辨率，从结果可以看得出来，浸没式光刻的特征尺寸缩小为传统光刻的n分之一，相当于有效曝光波长缩小为原来的n分之一。”

“而这项技术上面我们有的主要问题，就是浸没液体，液体浸没方式，大数据孔径……”

刘言在上面讲得慷慨激昂，但是乐远却听得有些昏昏欲睡，因为这些东西都是老生常谈了。

193n浸没式光刻技术不是刘言他们明的，也不是星空公司自己明的，早在2002年的时候浸没式光刻技术就帮助突破了65n技术节点。

而在2004年年底的时候和台积电分别宣布采用193n浸没是光刻技术制造出全功能的芯片。

所以说，星空公司沉浸式光刻技术只不过比较成熟，在各方面的问题上处理地比较好而已。

刘言一开始提到了ad，确实，星空科技公司的45n工艺跟ad比较相像。

跟ntl复杂的用料及工艺流程不同，星空公司没有使用高k，因为星空公司有一种类似与so工艺的技术。

所谓的so就是绝缘体上的硅技术的缩写，这种技术和传统的纯硅晶圆不同，它使用的晶圆底部是一层绝缘层。

这层绝缘体切断了上方os管漏电流的回路，使得芯片能够轻松抵抗漏电流。

不过看到刘言的兴奋劲，乐远当然不忍心打断他。能够在这么短的时间内逆向星空一号的处理的45n工艺，是很不容易的，可想而知，他们这些人付出了多少东西。

“而在193n浸没式光刻技术的基础上，想要突破到32n，依旧有了初步的可能性，我们只需要提升光刻设备即可。”

来了，本来昏昏欲睡的乐远精神一振，现在讲的就是他特意飞回来要听的东西了。

“先，我们要说一下超低k电介质，气隙技术，针对32n节点的半导体制程节点展蓝图中，必须采用超低k电介质来降低相邻金属线之间的寄生电容，特别是互连层上。”

“而气隙技术，可以在32n芯片的金属线间制造完全的真空状态，以减少互连层百分之三十到四十的寄生电容，具体的数字还要以后继续实验才能得出来。”

当气隙技术四个字刚从刘言最里面说出来的时候，乐远就是一愣，这个名称他有印象，只不过是上一世听过的。

这是公司在08年09年那两年开出的一种技术，现在这个时间段他们还没有开出来。

等到后面刘言说这种技术可以在金属线间制造完全的真空状态的时候，乐远忽然有点恍然，不但名字相同，刘言他说的这种技术，就是公司的ar gap技术的雏形。